后摩智能称下代旗舰芯片将融合3D CIM与3D DRAM，同面积算力提升至两倍。
推荐理由：3D存算一体把计算与高带宽存储垂直堆叠，瞄准端侧大模型的访存和能效瓶颈；同面积两倍算力仍属公司预告，量产工艺与散热表现尚待验证。
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